「香港飛龍」標誌 本文内容： 公衆號記得加星標??，第一時間看推送不會錯過。來源：內容編譯自theelec。韓國科學技術研究院的一位教授表示，到 2029 年左右，當 HBM5 實現商業化時，冷卻技術將成爲高帶寬存儲器 (HBM) 市場競爭的主要因素。韓國科學技術研究院電氣工程系教授 Joungho Kim 在 KAIST Teralab（Kim 領導的該大學下屬研究小組）主辦的活動中表示，目前，封裝是決定半導體市場霸權的主要因素，但隨着 HBM5 的出現，這一局面將轉變爲冷卻技術。該實驗室分享了所謂的 2025 年至 2040 年 HBM4 至 HBM8 的技術路線圖。其中一些技術包括 HBM 架構、冷卻方法、硅通孔 (TSV) 密度、中介層等。Kim 表示，預計基礎芯片將通過異構和先進的封裝技術移至 HBM 的頂部。由於從 HBM4 開始，基礎芯片將承擔 GPU 的部分工作負載，因此基礎芯片的溫度升高使得冷卻變得非常重要。HBM5 結構採用浸入式冷卻，基片和封裝將浸入冷卻液中。Kim 指出，目前使用的液體冷卻方法存在侷限性。在 HBM4 中，液體冷卻劑被注入封裝頂部的散熱器中。除了 TSV 之外，還將添加新的通孔，例如熱通孔 (TTV)、柵極 TSV 和電源 TPV。該教授表示，HBM7 需要嵌入式冷卻系統將冷卻液注入 DRAM 芯片之間，爲此將添加流體 TSV。HBM7 還將與各種架構相結合，例如高帶寬閃存 (HBF)，其中 NAND 以 3D 方式堆疊，就像 DRAM 以 HBM 方式堆疊一樣，而 HBM8 將把 HBM 直接安裝在 GPU 頂部。該教授還表示，除了冷卻之外，鍵合也是決定HBM性能的另一箇主要因素。他表示，從HBM6開始，將引入玻璃和硅的混閤中介層。*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅爲了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯繫半導體行業觀察。今天是《半導體行業觀察》爲您分享的第4064期內容，歡迎關注。加星標??第一時間看推送，小號防走丟求推薦 (本文内容不代表本站观点。) --------------------------------- |
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